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厂商型号

NCV8440STT1G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

内部编号

277-NCV8440STT1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

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NCV8440STT1G产品详细规格

规格书 NCV8440STT1G datasheet 规格书
NCV8440STT1G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 59V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.6A
Rds(最大)@ ID,VGS *
VGS(TH)(最大)@ Id *
栅极电荷(Qg)@ VGS 4.5nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 *
功率 - 最大 1.69W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装 SOT-223
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 4SOT-223
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 59 V
最大连续漏极电流 2.6 A
RDS -于 110@10V mOhm
最大门源电压 ±15 V
典型导通延迟时间 375|325|190 ns
典型上升时间 1525|1275|710 ns
典型关闭延迟时间 1530|1860|2220 ns
典型下降时间 1160|1150|1180 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
最大门源电压 ±15
包装宽度 3.5
PCB 3
最大功率耗散 1690
最大漏源电压 59
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 110@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 SOT-223
标准包装名称 SOT-223
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 6.5
引脚数 4
包装高度 1.57
最大连续漏极电流 2.6
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing

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